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  Graded Crystalline HfO₂ Gate Dielectric Layer for High-k/Ge MOS Gate Stack 用于高k/Ge MOS栅极堆叠的梯度结晶HfO₂栅极介电层
相关领域
材料科学
物理
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| 其它 |
期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Chan Ho Lee; Jeong Yong Yang; Junseok Heo; Geonwook Yoo 出版日期：2021-01-01 |
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