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![]() 用于高k/Ge MOS栅极堆叠的梯度结晶HfO₂栅极介电层
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材料科学
物理
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期刊:IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者:Chan Ho Lee; Jeong Yong Yang; Junseok Heo; Geonwook Yoo 出版日期:2021-01-01 |
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