| 标题 |
 Effects of charge and dipole on flatband voltage in an MOS device with a Gd-doped HfO2dielectric Gd掺杂HfO2介质中电荷和偶极子对MOS器件平带电压的影响
相关领域
兴奋剂
偶极子
材料科学
电介质
凝聚态物理
电荷（物理）
费米能级
半导体
电压
工作（物理）
光电子学
物理
电子
量子力学
热力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Chinese Physics B 作者：Kai Han; Xiaolei Wang; Hong Yang; Wenwu Wang 出版日期：2013-11-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Nole
秋风
无极微光
DW
老的火龙果
cdercder
热切菩萨
GingerF
xing_xing
aajhajkahna
牧青
369ninja
OK
DOC_XIONG
贪玩的秋柔
殷勤的紫槐
悦耳的怀寒
科研狗
Kao
ZapZapZoom
皖公网安备34019202002308
