Enhancement-Mode AlInN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Enabled by Thermally Oxidized Gates

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标题	Enhancement-Mode AlInN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Enabled by Thermally Oxidized Gates 热氧化栅实现的增强型AlInN/GaN高电子迁移率晶体管相关领域材料科学光电子学符号物理数学算术
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2023.3343313
DOI	10.1109/ted.2023.3343313 doi
其它	期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者：Elia Palmese; Haotian Xue; Spyridon Pavlidis; Jonathan J. Wierer 出版日期：2024-02-01
求助人	lili 在 2024-07-03 20:16:26 发布自吉林，悬赏 10 积分
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