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Role of Ferroelectric Layer Thickness in Resistive Switching and Depolarization Effects in Hf₀.₅Zr₀.₅O₂-Based Structures |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:I. A. Savichev; I. G. Margolin; R. I. Romanov; A. A. Chouprik 出版日期:2025-01-25 |
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(2025-6-4)