InGaAs/Si PIN photodetector with low interfacial recombination rates realized by wafer bonding with a polycrystalline Si interlayer

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标题	InGaAs/Si PIN photodetector with low interfacial recombination rates realized by wafer bonding with a polycrystalline Si interlayer 相关领域光电探测器材料科学光电子学无定形固体晶片键合异质结硅响应度退火（玻璃）暗电流化学复合材料结晶学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0192394
DOI	10.1063/5.0192394 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Jinlong Jiao; Ruoyun Ji; Liqiang Yao; Yingjie Rao; Shaoying Ke; et al 出版日期：2024-03-18
求助人	Lsong 在 2026-06-18 16:22:11 发布自天津，悬赏 10 积分
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