Switching characteristics in Cu:SiO2 by chemical soak methods for resistive random access memory (ReRAM)

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标题	Switching characteristics in Cu:SiO2 by chemical soak methods for resistive random access memory (ReRAM)
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S003811011...
DOI	10.1016/j.sse.2014.07.014 doi
其它	期刊：Solid-State Electronics 作者：Fun-Tat Chin; Yu-Hsien Lin; Wen-Luh Yang; Chin-Hsuan Liao; Li-Min Lin; et al 出版日期：2014-08-15
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