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标题
Finite Element Analysis of the Asymmetric Warpage Induced by the Oxidation Process in Trench Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT) 12” Si Patterned Wafers
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DOI
10.1109/EuroSimE65125.2025.11006629 doi
求助人
ZYC007 在 2026-08-13 10:31:14 发布自江苏,悬赏 20 积分
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