Mechanistic Study of FS Layer in IGBT: Exploring the Effects of Hydrogen and Phosphorus Implantation on Performance

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标题	Mechanistic Study of FS Layer in IGBT: Exploring the Effects of Hydrogen and Phosphorus Implantation on Performance
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ted.2026.3674820
DOI	10.1109/ted.2026.3674820 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yameng Sun; Anning Chen; Xun Liu; Yifan Song; Yang Zhou; et al 出版日期：2026-05-01
求助人	zyw 在 2026-06-29 16:28:43 发布自江苏，悬赏 10 积分
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