Trench-Structured High-Current-Driving Aluminum-Doped Indium–Tin–Zinc Oxide Semiconductor Thin-Film Transistor

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标题	Trench-Structured High-Current-Driving Aluminum-Doped Indium–Tin–Zinc Oxide Semiconductor Thin-Film Transistor 沟槽结构高电流驱动铝掺杂铟锡锌氧化物半导体薄膜晶体管相关领域沟槽薄膜晶体管材料科学光电子学晶体管薄膜电气工程兴奋剂氧化铟锡纳米技术电压图层（电子）工程类
网址	https://doi.org/10.1109/led.2022.3201072
DOI	10.1109/led.2022.3201072 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Do Hyung Kim; Kwang‐Heum Lee; Seung Hee Lee; Junsung Kim; Junghoon Yang; et al 出版日期：2022-10-01
求助人	Wx 在 2023-11-16 23:41:00 发布自江苏，悬赏 10 积分
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