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标题
Fabrication of Semi-Polar (11-22) GaN V-Groove MOSFET Using Wet Etching Trench Opening Technique
用湿法刻蚀开沟技术制作半极性（11-22）GaN V型槽MOSFET
相关领域
制作 沟槽 蚀刻（微加工） 沟槽（工程） 材料科学 光电子学 MESFET MOSFET 干法蚀刻 晶体管 场效应晶体管 阈值电压 电气工程 纳米技术 电压 工程类 图层（电子） 冶金 病理 替代医学 医学
网址
https://doi.org/10.1109/led.2022.3203633
AI链接 ac.ukdoi.org
DOI
10.1109/led.2022.3203633 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Yidi Yin; Joseph Pinchbeck; Colm O’Regan; Ivor Guiney; D. J. Wallis; et al
出版日期：2022-09-01
求助人
holly 在 2025-12-06 10:45:28 发布自上海，悬赏 10 积分
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