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 Fabrication of Semi-Polar (11-22) GaN V-Groove MOSFET Using Wet Etching Trench Opening Technique 用湿法刻蚀开沟技术制作半极性（11-22）GaN V型槽MOSFET
相关领域
制作
沟槽
蚀刻（微加工）
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yidi Yin; Joseph Pinchbeck; Colm O’Regan; Ivor Guiney; D. J. Wallis; et al 出版日期：2022-09-01 |
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