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Interface Properties Improvement and VFB Modulation on HfO₂/IL/Si₀.₇Ge₀.₃ Gate Stacks Using LaFMD Passivation Without EOT Compensation 相关领域
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Xiaotong Mao; Yongliang Li; Yu Zhou; Xiaofeng Jia; Shuai Yang; et al 出版日期:2025-04-21 |
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