Drain current enhancement and negligible current collapse in GaN MOSFETs with atomic-layer-deposited HfO2 as a gate dielectric

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标题	Drain current enhancement and negligible current collapse in GaN MOSFETs with atomic-layer-deposited HfO2 as a gate dielectric 相关领域材料科学跨导光电子学栅极电介质栅氧化层 MOSFET 钝化电介质排水诱导屏障降低晶体管原子层沉积随时间变化的栅氧化层击穿场效应晶体管阈值电压图层（电子）电压电气工程纳米技术工程类
网址	https://doi.org/10.1016/j.mee.2010.02.013
DOI	10.1016/j.mee.2010.02.013 doi
其它	期刊：Microelectronic Engineering 作者：Y. C. Chang; Wen-Hsin Chang; Yu‐Han Chang; J. Kwo; Y. S. Lin; et al 出版日期：2010-03-02
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