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 Evaluation of Threshold Hysteresis for SiC MOSFETs in Active Gate Drive Application 有源栅极驱动中SiC MOSFET阈值滞后的评估
相关领域
材料科学
磁滞
MOSFET
光电子学
阈值电压
逻辑门
电气工程
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物理
工程类
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期刊：IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 作者：Bao‐Hsien Wu; Li Ran; Hao Feng; Hongyu Lin 出版日期：2025-01-01 |
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