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 Micro-trench free 4H-SiC etching with improved SiC/SiO 2 selectivity using inductively coupled SF 6 /O 2 /Ar plasma 利用电感耦合SF6/O2/Ar等离子体提高SiC/SiO2选择性的无微沟槽4H-SiC蚀刻
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期刊：Physica Scripta 作者：Ogyun Seok; Youngjo Kim; Wook Bahng 出版日期：2019-12-19 |
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