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标题
Study on physical model for strained Si MOSFET with hetero-polycrystalline SiGe gate
相关领域
材料科学 MOSFET 应变工程 光电子学 电子迁移率 微晶 阈值电压 短通道效应 频道（广播） 电子工程 工程物理 电压 硅 电气工程 晶体管 物理 工程类 冶金
网址
https://doi.org/10.7498/aps.62.218502
DOI
10.7498/aps.62.218502 doi
其它 期刊：Acta Physica Sinica
作者：Bin Wang; Zhang He-Ming; Huiyong Hu; Yuming Zhang; Jianjun Song; et al
出版日期：2013-01-01
求助人
huangtao 在 2025-10-13 18:21:27 发布自云南，悬赏 10 积分
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