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  On the Identification of Buffer Trapping for Bias-Dependent Dynamic RONof AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode With AlGaN:C Back Barrier 带LGA：C背垒的TGA/Gap Schottky Barrier二极管偏置相关动态RON的缓冲区陷波识别
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Jie Hu; Steve Stoffels; Silvia Lenci; G. Groeseneken; Stefaan Decoutere 出版日期：2016-01-04 |
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