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  Measurement of Residual Stress and Young’s Modulus on Micromachined Monocrystalline 3C-SiC Layers Grown on <111> and <100> Silicon 在<111>和<100>硅上生长的微加工单晶3C-SiC层的残余应力和杨氏模量的测量
相关领域
材料科学
模数
微电子机械系统
残余应力
单晶硅
杨氏模量
复合材料
兴奋剂
硅
制作
应变计
压力（语言学）
光电子学
哲学
病理
医学
语言学
替代医学
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| 其它 |
期刊：Micromachines 作者：Sergio Sapienza; M. Ferri; Luca Belsito; Diego Marini; Marcin Zieliński; et al 出版日期：2021-09-03 |
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淡定紫槐
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2025-08-19 11:09:36 发布，悬赏 10 积分
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