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标题
Stacked Si Nanosheets Gate-All-Around Transistors with Silicon-on-Nothing Structure for Suppressing Parasitic Effects and Improving Circuits’ Performance
用于抑制寄生效应和提高电路性能的无硅结构堆叠硅纳米片全栅极晶体管
相关领域
材料科学 光电子学 静态随机存取存储器 晶体管 电容 硅 还原（数学） 寄生电容 蚀刻（微加工） 纳米技术 电子工程 电气工程 电压 图层（电子） 电极 工程类 化学 几何学 数学 物理化学
网址
https://doi.org/10.1149/2162-8777/ad5106
DOI
10.1149/2162-8777/ad5106 doi
其它 期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology
作者：Lianlian Li; Lei Cao; Xuexiang Zhang; qingkun li; Meihe Zhang; et al
出版日期：2024-05-28
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舒适映萱 在 2025-08-29 00:15:14 发布，悬赏 10 积分
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