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标题
Enhanced performance of SOI MESFETs by displacement of gate contact and applying double oxide packets
通过栅极接触位移和应用双氧化物封装提高SOI MESFETs的性能
相关领域
MESFET 材料科学 光电子学 击穿电压 绝缘体上的硅 电气工程 晶体管 排水诱导屏障降低 随时间变化的栅氧化层击穿 场效应晶体管 电压 阈值电压 栅氧化层 硅 工程类
网址
https://doi.org/10.1007/s00202-023-01848-w
DOI
10.1007/s00202-023-01848-w doi
其它 期刊：Electrical Engineering
作者：Behrooz Fath-Ganji; Ali Mir; Ali Naderi; Reza Talebzadeh; Ali Farmani
出版日期：2023-05-13
求助人
绵绵球 在 2025-08-29 22:09:04 发布，悬赏 10 积分
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