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 New fabrication method of InGaN laser diode by epitaxial lateral overgrowth and cleavable technique from free-standing non- and semi-polar GaN substrate 利用独立非和半极性甘草基片的侧向过生长和可分裂技术制作LGA激光二极管的新方法
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期刊： 作者：Takeshi Kamikawa; Srinivas Gandrothula; Hongjian Li; Valeria Bonito-Olivia; Feng Wu; et al 出版日期：2021-03-03 |
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