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标题
Attoampere Level Leakage Current in Chemical Vapor Deposition-Grown Monolayer MoS2 Dynamic Random-Access Memory in Trap-Assisted Tunneling Limit
网址
DOI
10.1021/acsnano.4c13376 doi
其它 期刊:ACS Nano
作者:Jisoo Seok; Jae Eun Seo; Dae Kyu Lee; Joon Young Kwak; Jiwon Chang
出版日期:2025
求助人
Shaochi1kou 在 2026-05-18 16:07:00 发布自美国,悬赏 10 积分
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