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 Multiscale Modeling of Al0.7Sc0.3N-based FeRAM: the Steep Switching, Leakage and Selector-free Array 相关领域
泄漏（经济）
拓扑（电路）
物理
材料科学
算法
计算机科学
电气工程
工程类
经济
宏观经济学
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期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：C. Liu; Q. Wang; W. Yang; T. Cao; L. Chen; et al 出版日期：2022-03-09 |
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