Threshold-switching characteristics of a nanothin-NbO2-layer-based Pt/NbO2/Pt stack for use in cross-point-type resistive memories

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标题	Threshold-switching characteristics of a nanothin-NbO2-layer-based Pt/NbO2/Pt stack for use in cross-point-type resistive memories
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S016793171...
DOI	10.1016/j.mee.2013.02.084 doi
其它	期刊：Microelectronic Engineering 作者：Seonghyun Kim; Jubong Park; Jiyong Woo; Chunhum Cho; Wootae Lee; et al 出版日期：2013-03-07
求助人	乐邦詹士在 2026-04-08 14:17:07 发布自浙江，悬赏 10 积分
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