Analysis of the deep level responsible for the degradation of InGaN-based laser diodes by DLTS

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标题	Analysis of the deep level responsible for the degradation of InGaN-based laser diodes by DLTS
网址	https://doi.org/10.1117/12.906551
DOI	10.1117/12.906551 doi
其它	期刊：无法获取作者：M. Meneghini; C. de Santi; N. Trivellin; K. Orita; S. Takigawa; et al 出版日期：2012
求助人	cc 在 2026-06-02 20:29:30 发布自天津，悬赏 20 积分
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