Effect of layout orientation on the performance and reliabiltiy of high voltage N-LDMOS in standard submicron logic STI CMOS process

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标题	Effect of layout orientation on the performance and reliabiltiy of high voltage N-LDMOS in standard submicron logic STI CMOS process
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx5/9994/32106/01493189.pdf?...
DOI	10.1109/relphy.2005.1493189 doi
其它	期刊：2005 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2005. Proceedings. 43rd Annual. 作者： Bin Wang; Hoc Nguyen; J. Mavoori; A. Horch; Yanjun Ma; et al 出版日期：2005-08-16
求助人	echo 在 2026-04-21 21:59:53 发布自北京，悬赏 10 积分
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