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 Ferroelectric Field Effect Transistors (FeFETs): Advancements, challenges and exciting prospects for next generation Non-Volatile Memory (NVM) applications 铁电场效应晶体管（FeFETs）：下一代非易失性存储器（NVM）应用的进展、挑战和令人兴奋的前景
相关领域
材料科学
非易失性存储器
可靠性（半导体）
纳米技术
光电子学
功率（物理）
物理
量子力学
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| 其它 |
期刊：Materials today communications 作者：J. Ajayan; P. Mohankumar; D. Nirmal; L. M. I. Leo Joseph; Sandip Bhattacharya; et al 出版日期：2023-06-01 |
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