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In Situ Monitoring of Etching Characteristic and Surface Reactions in Atomic Layer Etching of SiN Using Cyclic CF4/H2 and H2 Plasmas
循环CF4/H2和H2等离子体原位监测SiN原子层刻蚀特性和表面反应
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期刊:ACS Applied Materials & Interfaces 作者:Shih‐Nan Hsiao; Makoto Sekine; Masaru Hori 出版日期:2023-07-13 |
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