High resistive switching on/off ratio in Lu doped Hf0.4Zr0.6O2 thin films through band structure and vacancy co-strategy

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标题	High resistive switching on/off ratio in Lu doped Hf0.4Zr0.6O2 thin films through band structure and vacancy co-strategy
网址	https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s40843-026-423...
DOI	10.1007/s40843-026-4235-6 doi
其它	期刊：Science China Materials 作者：Jiaqi Li; Qiang Li; Hongwei Wang; Xiaoxia Yu; Jie Tu; et al 出版日期：2026-08-06
求助人	XUAN 在 2026-09-05 16:15:26 发布自北京，悬赏 20 积分
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