Mechanism of highly selective etching of SiCN by using NF3/Ar-based plasma

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标题	Mechanism of highly selective etching of SiCN by using NF3/Ar-based plasma NF3/Ar基等离子体高选择性刻蚀SiCN的机理相关领域材料科学蚀刻（微加工）等离子体刻蚀电子回旋共振硅反应离子刻蚀图层（电子）化学工程化学锡氟 X射线光电子能谱分析化学（期刊）离子干法蚀刻纳米技术有机化学工程类
网址	https://doi.org/10.1116/6.0000711
DOI	10.1116/6.0000711 doi
其它	期刊：Journal of vacuum science & technology 作者：Miyako Matsui; Tatehito Usui; Kenichi Kuwahara 出版日期：2021-06-28
求助人	鲤鱼紫易在 2024-12-27 14:29:55 发布自湖南，悬赏 10 积分
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