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标题
Hole Virtual Gate Model Explaining Surface-Related Dynamic RON in p-GaN Power HEMTs
解释p-GaN功率HEMT中表面相关动态RON的空穴虚栅极模型
相关领域
光电子学 材料科学 宽禁带半导体 氮化镓 功率（物理） 逻辑门 电气工程 凝聚态物理 物理 工程类 纳米技术 图层（电子） 量子力学
网址
https://doi.org/10.1109/led.2024.3375912
AI链接 ieee.org handle.netdoi.org
DOI
10.1109/led.2024.3375912 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Nicolò Zagni; G. Verzellesi; Alessandro Bertacchini; M. Borgarino; Ferdinando Iucolano; et al
出版日期：2024-03-11
求助人
福旺云吞 在 2025-12-06 07:34:01 发布自贵州，悬赏 10 积分
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