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Ab initio study of helium behavior near stacking faults in 3C-SiC 3C-SiC层错附近氦行为的从头算研究
相关领域
氦
材料科学
堆积
从头算
六方晶系
氦原子
凝聚态物理
分子物理学
原子物理学
结晶学
化学
物理
有机化学
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期刊:Journal of Physics D Applied Physics 作者:Rongshan Wang; Limin Zhang; Weilin Jiang; N. Daghbouj; Tomáš Polcar; et al 出版日期:2024-07-19 |
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