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标题
Impact of Total Ionizing Dose Effects on the Threshold Voltage Hysteresis of SiC MOSFETs
总电离剂量效应对SiC MOSFET阈值电压滞后的影响
相关领域
MOSFET 磁滞 阈值电压 材料科学 电离辐射 光电子学 碳化硅 电压 宽禁带半导体 半导体器件建模 电子工程 吸收剂量 工程物理 电气工程 物理 凝聚态物理 CMOS芯片 晶体管 工程类 辐照 核物理学 冶金
网址
DOI
10.1109/ted.2024.3457572 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Electron Devices
作者:Xiaowen Liang; Ying Wei; Dan Zhang; Jing Sun; Yudong Li; et al
出版日期:2024-09-26
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willsong 在 2025-12-06 09:28:37 发布自天津,悬赏 10 积分
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