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Impact of Total Ionizing Dose Effects on the Threshold Voltage Hysteresis of SiC MOSFETs 总电离剂量效应对SiC MOSFET阈值电压滞后的影响
相关领域
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Xiaowen Liang; Ying Wei; Dan Zhang; Jing Sun; Yudong Li; et al 出版日期:2024-09-26 |
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