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  Low Conductance State Drift Characterization and Mitigation in Resistive Switching Memories (RRAM) for Artificial Neural Networks 人工神经网络电阻开关存储器(RRAM)中低电导状态漂移的表征与缓解
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期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Andrea Baroni; Artem Glukhov; Eduardo Pérez; Christian Wenger; Daniele Ielmini; et al 出版日期：2022-06-10 |
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