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 High breakdown voltage quasi-two-dimensional β-Ga2O3 field-effect transistors with a boron nitride field plate 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Jinho Bae; Hyoung Woo Kim; In Ho Kang; Gwangseok Yang; Jihyun Kim 出版日期：2018-03-19 |
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