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 A Study of the Electrical Properties at the Interface in MIS Structure with Low-Dielectric-Constant SiOC(-H) Films Deposited by Using UV-Source-Assisted PECVD 紫外光源辅助PECVD沉积MIS结构低介电常数SiOC（-H）薄膜界面电学性能研究
相关领域
材料科学
电介质
等离子体增强化学气相沉积
低介电常数
接口（物质）
常量（计算机编程）
高-κ电介质
光电子学
复合材料
计算机科学
化学气相沉积
毛细管数
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程序设计语言
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期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：Chang Young Kim; Yong Jun Jang; R. Navamathavan; Chi Kyu Choi 出版日期：2007-04-14 |
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