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 Performance and reliability of N-type doping-free TFETs: the role of compound semiconductor materials N型无掺杂TFET的性能和可靠性：化合物半导体材料的作用
相关领域
兴奋剂
可靠性（半导体）
材料科学
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期刊：Multiscale and Multidisciplinary Modeling Experiments and Design 作者：Bandi Venkata Chandan; Kaushal Nigam 出版日期：2025-02-20 |
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RomanYoung
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2025-08-28 09:09:57 发布，悬赏 10 积分
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