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  Sensitivity of Al-Doped Zinc-Oxide Extended Gate Field Effect Transistors to Low-Dose X-ray Radiation 掺Al氧化锌扩展栅场效应晶体管对低剂量X射线辐射的敏感性
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期刊：Materials 作者：Amal Mohamed Ahmed Ali; Naser M. Ahmed; Norlaili A. Kabir; Ahmad M. AL-Diabat; Natheer A. Algadri; et al 出版日期：2023-02-24 |
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