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Modeling Attempt-to-Escape Frequency: Tunneling Emission of Trapped Electrons in Tunneling Oxides of 3-D NAND Flash Memory
模拟试图逃逸频率：三维NAND闪存隧穿氧化物中俘获电子的隧穿发射
相关领域
量子隧道 电子 闪光灯（摄影） 与非门 光电子学 闪存 物理 材料科学 原子物理学 凝聚态物理 逻辑门 电气工程 量子力学 计算机科学 光学 工程类 操作系统
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2025.3589340
DOI
10.1109/ted.2025.3589340 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：M. Jin; Hyungcheol Shin
出版日期：2025-08-26
求助人
Stephendo 在 2025-09-09 13:48:07 发布自浙江，悬赏 10 积分
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