| 标题 |
 Modeling Attempt-to-Escape Frequency: Tunneling Emission of Trapped Electrons in Tunneling Oxides of 3-D NAND Flash Memory 模拟试图逃逸频率：三维NAND闪存隧穿氧化物中俘获电子的隧穿发射
相关领域
量子隧道
电子
闪光灯（摄影）
与非门
光电子学
闪存
物理
材料科学
原子物理学
凝聚态物理
逻辑门
电气工程
量子力学
计算机科学
光学
工程类
操作系统
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：M. Jin; Hyungcheol Shin 出版日期：2025-08-26 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
嘻嘻哈哈
GingerF
GG
时尚梦易
Nole
蕃茄鱼
Kao
千山keyantong
fantasy
14and15
Samuel
OK
yjh123
不潮薯饼
无名氏
Haiverxin
kento
youth
小何
Zzzz
皖公网安备34019202002308
