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标题
Anneal Behavior of Total Ionizing Dose Irradiated UTBB FD-SOI n-MOSFETs Activated by Hot Carrier Stress
总电离剂量辐照UTBB FD-SOI N-MOSFET在热载流子应力激活下的退火行为
相关领域
绝缘体上的硅 辐照 材料科学 吸收剂量 退火（玻璃） 电子 MOSFET 量子隧道 硅 电离辐射 氧化物 光电子学 热载流子注入 压力（语言学） 原子物理学 电气工程 物理 晶体管 核物理学 电压 复合材料 语言学 哲学 冶金 工程类
网址
https://doi.org/10.1109/tns.2022.3229026
DOI
10.1109/tns.2022.3229026 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science
作者：Qiwen Zheng; Jiangwei Cui; Xue‐Feng Yu; Yudong Li; Qi Guo
出版日期：2022-12-14
求助人
海鸥飞处 在 2025-08-29 19:51:54 发布，悬赏 10 积分
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