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Ferroelectricity of pure HfOx in metal-ferroelectric-insulator-semiconductor stacks and its memory application
纯HfOx在金属-铁电-绝缘体-半导体堆叠中的铁电性及其存储器应用
相关领域
铁电性 材料科学 掺杂剂 兴奋剂 光电子学 非易失性存储器 电介质
网址
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.151566
DOI
10.1016/j.apsusc.2021.151566 doi
其它 期刊：Applied Surface Science
作者：Kyung Kyu Min; Junsu Yu; Yeonwoo Kim; Chae Soo Kim; Taejin Jang; et al
出版日期：2021-10-11
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活着 在 2025-08-18 18:02:26 发布，悬赏 10 积分
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