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 Radiation effects on memristor-based non-volatile SRAM cells 基于忆阻器的非易失性SRAM单元的辐射效应
相关领域
记忆电阻器
静态随机存取存储器
晶体管
拓扑（电路）
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期刊：Journal of Computational Electronics 作者：H. M. Vijay; V. N. Ramakrishnan 出版日期：2017-11-08 |
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