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  Capacitance Temperature Dependence Analysis of GaN-on-Si Power Transistors GaN-on-Si功率晶体管的电容温度依赖性分析
相关领域
外延
接受者
材料科学
晶体管
电容
光电子学
空位缺陷
凝聚态物理
分析化学（期刊）
电压
化学
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电气工程
物理化学
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物理
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工程类
色谱法
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期刊：Energies 作者：Florian Rigaud-Minet; Julien Buckley; W. Vandendaele; Matthew Charles; Marie-Anne Jaud; et al 出版日期：2022-09-26 |
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