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  Displacement damage effect of proton irradiation on vertical β-Ga2O3 and SiC Schottky barrier diodes (SBDs) 质子辐照对垂直β-Ga2O3和SiC肖特基势垒二极管的位移损伤效应
相关领域
材料科学
肖特基势垒
辐照
光电子学
二极管
肖特基二极管
质子
通量
辐射损伤
基质（水族馆）
电容
海洋学
电极
物理化学
化学
物理
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核物理学
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期刊：Journal of Science Advanced Materials and Devices 作者：Young Jo Kim; Youngboo Moon; Jeong Hyun Moon; Hyoung Woo Kim; Wook Bahng; et al 出版日期：2024-07-11 |
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