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标题
Ultra‐Low Power and Reliable Dynamic Memtransistor Based on Charge Storage Junction FET with Step‐Wise Potential Barrier for Energy‐Efficient Edge Computing Framework
用于节能边缘计算框架的基于电荷存储结FET和阶梯势垒的超低功耗可靠动态Memtransistor
相关领域
计算机科学 计算机数据存储 晶体管 可靠性（半导体） 功率（物理） GSM演进的增强数据速率 材料科学 嵌入式系统 电气工程 计算机硬件 电压 工程类 物理 人工智能 量子力学
网址
https://doi.org/10.1002/aelm.202300904
AI链接 doi.org doaj.orgdoi.org
DOI
10.1002/aelm.202300904 doi
其它 期刊：Advanced Electronic Materials
作者：Taehoon Park; Seokho Seo; Yujin Kim; See‐On Park; Soobin Choi; et al
出版日期：2024-05-08
求助人
虚幻的绫 在 2025-12-10 22:10:38 发布自湖北，悬赏 10 积分
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