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 Enhanced Memory Window and Excellent Endurance in FeFET With Ultrathin 2DEG Oxide Channel 具有超薄2DEG氧化物沟道的FeFET增强的存储窗口和优异的耐久性
相关领域
窗口（计算）
光电子学
非易失性存储器
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频道（广播）
氧化物
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Jongseon Seo; Jiho Kim; Geonhui Han; Laeyong Jung; Hojung Jang; et al 出版日期：2024-08-12 |
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