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First-principles insights into Bi2XO5 (X = Se, Te) monolayers as high-k gate dielectrics for 2D electronics Bi2XO5(X=Se,Te)单层作为二维电子学高k栅极电介质的第一性原理见解
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Huan Liu; Lixiang Rao; Junjie Qi; Gang Tang 出版日期:2025 |
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