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  Demonstration of 1200-V E-mode GaN-on-Sapphire Power Transistor with Low Dynamic ON-Resistance Based on Active Passivation Technique 基于有源钝化技术的1200V蓝宝石上GaN E模低动态导通电阻功率晶体管演示
相关领域
光电子学
钝化
蓝宝石
氮化镓
宽禁带半导体
电气工程
功率半导体器件
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物理
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Jia Cui; Maojun Wang; Yanlin Wu; Junjie Yang; Yang Han; et al 出版日期：2024-01-01 |
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