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 New Statistical Data and Modeling of Stress-Induced Leakage Current in 3D-NAND Floating Gate Non-Volatile Flash Memories 3D-NAND浮栅非易失性闪存中应力诱导漏电流的新统计数据和建模
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期刊：IEEE electron device letters 作者：A. Chimenton; Neal Mielke; Eunhwan Cho; I. Kalastirsky 出版日期：2022-01-01 |
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