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[求助补充材料] Built-in electric field and strain tunable valley-related multiple topological phase transitions inVSiXN4(X=C,Si,Ge,Sn,Pb) monolayers
VSiXN4(X=C,Si,Ge,Sn,Pb)单分子膜的内建电场和应变可调谷相关多重拓扑相变
相关领域
拓扑序
拓扑(电路)
拓扑绝缘体
凝聚态物理
相变
物理
电场
半金属
领域(数学)
材料科学
带隙
量子
量子力学
数学
组合数学
纯数学
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其它 |
期刊:Physical Review Materials 作者:Ping Li; Xiao Yang; Qing-Song Jiang; Yin-Zhong Wu; Wei Xun 出版日期:2023-06-07 |
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