标题 |
A ${c}$ -Axis-Aligned Crystalline In-Ga-Zn Oxide FET With a Gate Length of 21 nm Suitable for Memory Applications
一种适合存储器应用的晶格长度为21 nm的${c}$-轴排列的晶体In-Ga-Zn氧化物FET
相关领域
材料科学
光电子学
晶体管
栅氧化层
场效应晶体管
逻辑门
电子线路
存储单元
非易失性存储器
泄漏(经济)
和大门
氧化物
电气工程
电压
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宏观经济学
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其它 |
期刊:IEEE journal of the Electron Devices Society 作者:Hitoshi Kunitake; Kazuaki Ohshima; Kazuki Tsuda; Noriko Matsumoto; Tatsuki Koshida; et al 出版日期:2019-01-01 |
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